1、集成电路版图设计按照对布局布线位置的限制和布局模块的限制来分：有__全定制__和__半定制__。

2、导体分为__良导体__、__不良导体__。

3、在标准双极工艺中，发射区电阻通常用做__功率管整流__、__电流敏感电阻__。

4、电容存储的是__电场能量__。

5、__电阻多晶硅层__可以用作形成上电极。

6、流过导体的电流会在导体周围产生磁场。随着电流的变化，能量流入或流出这个磁场， 这些能量流沿着导体产生压降。电流和电压关系可以定量的表示为：__ __。

7、在线圈中每圈导线称为一匝，每匝产生的磁场也会通过其他所有匝，称为__磁耦合__。

8、与 MOS管不同，BJT 要求有稳定的基极电流以维持集电极电流，因此双极型晶体管经 常被称做__电流控制__型器件。

9、发射极饱和电流由很多因素决定，包括__基区和发射区扩散的杂质分布__以及__发射结的有效结面积__。

10、双极型晶体管工作于相对较高的温度时容易产生一种失效机制，称之为__热击穿__。

11、击穿电压小于6V且主要依据隧穿效应导电的二极管叫做__齐纳二极管__。

12、MOS晶体管的类型:__增强型__、__耗尽型__。

13、相邻晶体管之间的区域叫做__场区__。

14、常见的几种静电放电ESD保护测试结构为：__人体__、__机械__、__充电器件__。

15、集成电路版图设计按照对布局布线位置的限制和布局模块的限制来分：有__全定制__和__半定制__。

16、集成电路版图设计按设计自动化程度来分：__手工设计__和__自动设计__。

17、电阻非线性源于几个因素分别为：__自加热__、__强场速度饱和__、__耗尽区侵蚀__。

18、如果导体中加入电荷， 导体内部就会产生电场， 电场的产生就意味着导体内电势的变化，这个关系可用下式定量表示：__Q=C*V__。

19、电容产生的电感方向与芯片表面积被成为__横向通向电容__。

20、电感的标准单位定义为__亨利__。

21、电流集边效应使高频下电感的串联电阻 Rs 急剧增大。__趋肤效应__是造成电流集边的原因之一。

22、发射结电压表现为负温度系数，约为__-2mV/°C__。

23、对于标准双极型工艺制造的 NPN晶体管 VCBO的值从__20V-120V__。

24、存在稳定热点的晶体管经常会在关断时自毁。失效经常发生在电压远小晶体管所标VCEO的情况下。主要是因为集电结的雪崩效应产生的。这种意外的雪崩电压降低被称为_二次击穿__。

25、击穿电压超过6V的二极管通常叫做__雪崩二极管__。

26、NMOS 的背栅必须连在__低于或等于源极__的电位上而 PMOS 的背栅必须连在__大于或等于源极__的电位上。